Vishay推出RDS（ON）为4 m ohm 占位面积3.3 mm2的60 V MOSFET提高效率和功率密度
2019-09-02
Vishay宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22.5 nC，同时具有低输出电荷（QOSS）。
与逻辑电平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 V的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC，QOSS与导通电阻乘积，即零电压开关（ZVS）或开关柜拓扑结构功率转换设计中，MOSFET的重要优值系数（FOM）达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。
SiSS22DN改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级，以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
MOSFET经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS22DN现可提供样品并已实现量产。