东芝推出新一代Super Junction功率MOSFET-TK040N65Z
东芝推出新一代Super Junction功率MOSFET
- 进一步提升电源供应系统效率 -
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出新一代650V Super Junction功率MOSFET – TK040N65Z其用于资料中心的服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不断电系统(UPS)及其他工业应用。此IC已开始量产出货。
TK040N65Z为东芝DTMOS VI系列首款650V元件，支援57A连续汲极电流(ID)及228A脉冲电流(IDP)。提供0.04Ω（0.033Ω典型值）的超低汲源极导通电阻RDS(ON)，以减少电源应用的损耗。更低的电容设计，使其IC成为现代高速电源应用首选元件。
改善并压低主要性能系数- RDS(ON) x Qgd，电源效率随之提高。相较于上一代DTMOS IV-H产品，TK040N65Z在此系数降低了40%，表示在2.5kW PFC电路效率表现上将会显著地上升0.36%[1]。
新产品为工业标准TO-247封装，不论在传统设计或是新应用上皆便于使用。
产品特点
- 降低RDS(ON) × Qgd减少切换耗损进而提升效率
应用方面
- 数据库(服务器电源供应等)
- 太阳能发电机功率调节器
- 不断电系统
产品规格
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产品型号 |
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封装 |
TO-247 |
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绝对最大额定值 |
Drain-source voltage VDSS (V) |
650 |
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Drain current (DC) ID (A) |
57 |
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最大导通电阻 RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω) |
0.040 |
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Total gate charge Qg typ. (nC) |
105 |
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Gate-drain charge Qgd typ. (nC) |
27 |
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输入电容 Ciss typ. (pF) |
6250 |
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[1] 此数值由东芝测试于2018年6月(2.5kW PFC线路,输出为2.5kW)
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