Toshiba针对继电器驱动器推出新款小型双通道MOSFET SSM6N357R


东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出小型双通道MOSFET SSM6N357R,此款新产品在漏极(Drain)和闸极端子(Gate terminals)之间有内建二极管(Diode)。此IC适用于驱动机械继电器(Mechanical relays)等电感负载。量产出货即日启动。
SSM6N357R整合下拉电阻器(pull-down resistor)、串联电阻器和稳压二极管(Zener diode),助于减少零件数量并节省PCB板空间。另外,此IC采用双通道式封装(2 in 1),与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单通道式封装产品的替代方案相比,其安装面积减小42%。
SSM6N357R采用业界标准的TSOP6F等级封装,具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证,适合车用及许多其他应用。
应用方面
- 车用继电器和螺线管控制(Solenoid control)
- 工业应用继电器和螺线管控制(Solenoid control)
- 办公设备离合器控制(Clutch control)
产品特点
- 可节省PCB空间且减少零件数量(实现下拉电阻器,串联电阻器和稳压器二极管的整合)
- 3.0V低工作电压
- 双通道式封装(2 in 1)
- 通过AEC-Q101认证
主要规格
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项目 |
特性 |
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绝对最大额定值 |
漏源极电压 |
60 |
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闸源极电压 |
±12 |
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漏极电流 |
0.65 |
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电器特性 |
漏源极导通电组 |
|VGS|=3.0V |
2400 |
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|VGS|=5.0V |
1800 |
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闸极总电荷 |
1.5 |
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输入电容 |
43 |
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封装 |
2.9mm×2.8mm; |
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Equivalent Circuits
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