Toshiba推出2款车用新封装40V N-channel沟槽功率MOSFET IC 新款小型低电阻封装 轻松实现更低的导通电阻
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出2新款小型低电阻SOP Advance (WF)封装的MOSFET产品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是车用40V N-channel沟槽功率MOSFET的最新Lineup。量产即日开始。
此2款MOSFET IC采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽制程及小型低电阻封装，具备低导通电阻有助于降低导通损耗。与东芝上一代产品(U-MOS IV)相比，此ICs设计实现了更低的开关噪声，帮助降低EMI。
SOP Advance (WF)封装采用Wettable Flank Terminal 结构，支援再焊接后进行自动光学(AOI)检测。
产品特点
- 断态输出端电压：60V(最大值)
由于采用U-MOS IX-H制程及SOP Advance (WF)封装，实现0.79mΩ的最大导通电阻(RDS(ON)最大值)
- 低噪音特性降低电磁干扰(EMI)
- 采用Wettable Flank terminal结构，支援小型低电阻封装
应用方面
- 电动辅助转向系统(EPS)
- 负载开关
- 电动泵(Pumps)
主要规格
(Unless otherwise specified, @Ta=25℃)
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料号 |
漏源极电压 |
漏极电流 (DC) |
漏源极导通电阻 |
闸源极间内建稳压二极管 |
系列 |
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@VGS＝6V |
@VGS＝10V |
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TPH1R104PB |
40 |
120 |
1.96 |
1.14 |
No |
U-MOS IX |
|
|
TPHR7904PB |
150 |
1.3 |
0.79 |
No |
U-MOS IX |
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