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【立即报名】纳微半导体氮化镓功率 IC 设计大赛

2019-05-14

纳微半导体(www.navitassemi.com)作为第三代 GaN 功率 IC 的代表企业之一,纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内,合共拥有非常丰富的经验;纳微GaNFast 技术能够将开关频率提高 10 倍至 20 倍,同时提高效率、减小尺寸并降低系统成本。GaNFast 功率 IC 使得设计人员能够设计出超小体积、超高效率的充电器和适配器产品。可以说是:无与伦比的速度与效率。


2019 年纳微半导体与 21Dianyuan 将合作为具有创新精神的工程师带来一场别开生面的技术挑战赛,本次大赛提供原厂 IC 试用,在线技术培训等,相信加上你的智慧设计 ,开源创新,争做设计达人!本次大赛共设立两个方案参赛,分别为 65W PD (type C) 和 100W C+C+A 两种创新电源方案,活动总奖金超过 ¥320,000元 。诚邀电源/电子研发工程师、科研机构研发人员、高校师生和电源设计爱好者参赛,并欢迎参加GaNFast 技术培训直播。

 

   
      

 

大赛时间: 2019年5月6日 — 10月31日

报名时间: 即日起 — 2019年7月31日

GaNFast 技术培训直播时间:

 

专场1

专场2

主题

氮化镓(GaN) 功率 IC 及 高频应用注意事项

小功率高频设计案例 - 有源钳位反激 (ACF)

时间

5月17日 10:00-12:00

5月31日 10:00-12:00

技术亮点

- 纳微(Navitas)第三代半导体氮化镓(GaN)功率IC
- 高频拓扑介绍,包括新型有源钳位反激,高频 PFC 和高频LLC设计
- 高频变压器设计
- 高频同步整流设计
- 基于GaN的高频PFC (CrM, fswmin=200k)和LLC(500k) 150W/300W设计案例

- 有源钳位反激(ACF)在PD适配器的应用
- 平面变压器在小功率高频拓扑上的应用介绍
- 高频(1MHz)高功率密度适配器设计
- 纳微(Navitas) 产品在适配器上的量产案例

 

详细活动内容请见Navitas官网

若欲了解更多Navitas相关产品,欢迎联络Navitas产品专员 Navitas.cn@wpi-group.com 。

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