【立即報名!】納微半導體氮化鎵功率 IC 設計大賽
納微半導體(www.navitassemi.com)作為第三代 GaN 功率 IC 的代表企業之一,納微擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊,在材料、器件、 應用程式、系統和行銷及創新成功記錄的領域內,合共擁有非常豐富的經驗;納微GaNFast 技術能夠將開關頻率提高 10 倍至 20 倍,同時提高效率、減小尺寸並降低系統成本。GaNFast 功率 IC 使得設計人員能夠設計出超小體積、超高效率的充電器和適配器產品。可以說是:無與倫比的速度與效率。
2019 年納微半導體與 21Dianyuan 將合作為具有創新精神的工程師帶來一場別開生面的技術挑戰賽,本次大賽提供原廠 IC 試用,線上技術培訓等,相信加上你的智慧設計 ,開源創新,爭做設計達人!本次大賽共設立兩個方案參賽,分別為 65W PD (type C) 和 100W C+C+A 兩種創新電源配置,活動總獎金超過 ¥320,000元 。誠邀電源/電子研發工程師、科研機構研發人員、高校師生和電源設計愛好者參賽,並歡迎參加GaNFast 技術培訓直播。
大賽時間: 2019年5月6日 — 10月31日
報名時間: 即日起 — 7月31日
GaNFast 技術培訓直播時間:
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專場1 |
專場2 |
主題 |
氮化鎵(GaN) 功率 IC 及 高頻應用注意事項 |
小功率高頻設計案例 - 有源鉗位反激 (ACF) |
時間 |
5月17日 10:00-12:00 |
5月31日 10:00-12:00 |
技術亮點 |
- 納微(Navitas)第三代半導體氮化鎵(GaN)功率IC |
- 有源鉗位反激(ACF)在PD適配器的應用 |
詳細活動內容請見Navitas官網
若欲瞭解更多Navitas相關產品,歡迎聯絡Navitas產品專員 Navitas.cn@wpi-group.com 。