因应市场对于碳化硅 (SiC) 解决方案快速成长的需求，英飞凌科技 推出 1200V CoolSiC™ MOSFET 系列新产品。CoolSiC Easy 2B 电源模组协助工程师借由提高功率密度而降低系统成本。此外，也有助于大幅降低营运成本。由于相较于硅 IGBT，其开关损耗可降低约 80％，因此可达到超过 99% 的变频器效率水准。也由于 SiC 特性，可实现相同或甚至更高的开关频率运作。这对于 UPS 和能量储存等快速切换应用特别具有吸引力。

Easy 2B 电源模组的标准封装具有领先业界的低杂散电感特性。透过各种半桥、六单元及升压器模组，英飞凌可提供市面上最广泛的 Easy 封装 SiC 产品组合。CoolSiC Easy 2B 的半桥配置可轻松用于构建四单元和六单元拓扑。新产品扩增了半桥拓扑模组的功率范围，每个开关的导通电阻 R_DS(ON)) 仅 6 mΩ，为Easy 2B 封装之装置立下标竿效能。

此外，CoolSiC MOSFET 芯片的整合式本体二极体可确保低损耗飞轮功能，无需另外的二极体芯片。NTC 温度感测器有助于监控装置，PressFIT 技术则可缩短装置的组装时间。

供货情形

目前CoolSiC MOSFET Easy 2B  模组已经开始供货。英飞凌近期亦推出第一款采用 Easy 1B 封装的 CoolSiC™ MOSFET 六单元模组， RDS(ON) 为 45 mΩ。详细资讯请浏览 www.infineon.com/coolsic-mosfet。