新装置系列提供标准型 6 mm x 6 mm PowerPAK MLP66-40L及全新 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L、及 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装

日前推出新型 VRPower^® 整合型 DrMOS 功率级解决方案，提供三种 PowerPAK^® 封装尺寸，以应对高功率高效率多相 POL 应用领域。威世 Siliconix SiC789 与 SiC788 采用 MLP66-40L 封装，为 Intel^® 4.0 DrMOS 标准(6 mm x 6 mm) 脚位，而 SiC620 及 SiC620R 则采用全新的 5 mm x 5 mm MLP55-31L 封装，SiC521 则是 4.5 mm x 3.5 mm 的 MLP4535-22L 封装。此装置被优化于需要高电流，有空间限制的运算、储存设备、电信交换器、路由器、图形适配器与比特币挖矿机的 DC/DC电转换器。

SiC789 及 SiC788 的 6 mm x 6 mm 提供更方便的升级路径，给设计上需要更高的输出功率并已使用Intel 标准 DrMOS 4.0 的脚位者，全新5 mm x 5 mm 及 3.5 mm x 4.5 mm的脚位，给设计上需要更局限、紧凑空间的电压调节器，提供更理想的选择。PowerPAK MLP55-31L 及 MLP4535-22L 改善数种在封装上所产生的寄生及热度效应，巩固威世在Gen IV MOSFET 最先进的动态性能。

例如，在传统多相降压型转换器设计中，采用双边冷却 MLP55-31L 封装的 SiC620R 可传送 70 A，效率为 95 %。本装置能同时冷却封装顶部及底部，较前一代封装相比减少 20 % 的损失，占板面积也减少 33 %。缩小型的 3.5 mm x 4.5 mm SiC521 可在笔电、服务器外围设备、电信交换器、游戏主板等设计中传送高达 25 A 的连续电流，电流峰值达到 40 A。

VRPower 系列闸极驱动 IC 可应用于多种 PWM 控制器，并支持 5 V 及 3.3 V 的三态 PMW　逻辑。此外，驱动 IC 结合了二极管仿真模式电路，用于提升轻载效率。另外，自适应死区时间控制，能更进一步提升所有负载点的效率。本装置更具备欠电压锁定功能 (UVLO)、短路保护及过热警告（能在系统接面温度过高时发出警示）等特殊功能。

装置规格表：