Toshiba东芝推出40V电压功率MOSFET “U-MOS IX -H”系列产品
2015-05-20
Toshiba东芝公司推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76％的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻。此外，它还减少了Qoss的增加，进而提高开关电源的效率。
主要特性
- 业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ（最大值）
- 业界顶级的低RDS（ON）・Qoss：60mΩ・nC
应用
适用于主板, 服务器和电信基站的高效开关电源
主要规格
|
产品名称 |
封装 |
VDSS（V） |
RDS（ON） |
Ciss |
Qoss |
|
TPHR8504PL |
SOP Advance |
40 |
0.85 |
7370 |
85.4 |
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