新型功率整合模组将在Electronica展出，搭配最新智能功率模组、MOSFET、IGBT和整合马达驱动器，用于电源转换和马达控制

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），日前推出全新功率模组，在高度整合和紧凑的封装中提供极佳能效、可靠性和性能，新增至公司现已强固的电源半导体元件产品组合。

太阳能逆变器（inverter）、不断电系统（uninterruptable power supply；UPS）逆变级和工业变频驱动器（variable frequency drive；VFD）等应用中的功率级通常由离散（discrete）的IGBT／MOSFET整合专用驱动器和额外离散元件构成。安森美半导体全新NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率整合模组（PIM）提供紧凑、高度整合的方案，采用易于贴装（mountable）的封装，节省空间与降低成本，极大化地减轻设计人员的挑战。

这些元件采用Q1和Q2封装，用于30 KW和50 KW逆变器，整合场截止（field stop）沟槽式（trench）IGBT和快速恢复二极管，提供更低的传导（conduction）和开关损耗，并使设计人员能够在低VCE（SAT）和低EON / EOFF损耗间折衷，以充分最佳化电路性能。直接覆铜（direct bond copper；DBC）基底（substrate）支援大电流，最大限度地降低寄生电感（parasitic inductances）的影响，使设计人员实现高开关速度，以及以12.7 mm的爬电距离（creepage distance）提供3000 Vrms的隔离电压。

此外，安森美半导体亦推出全新充分最佳化、超紧凑的智能功率级（smart power stage；SPS）多芯片模组FDMF3170，用于服务器、资料中心、人工智能加速器和电信设备中的DC-DC 降压转换器。其整合两个基于安森美半导体PowerTrench®技术的高性能功率MOSFET，与一个具高精准电流感测器的智能驱动器以实现最佳处理器性能。