第二代串行接口NAND产品，具有更高的性能和容量，增加了产品阵容

东京–全球存储器解决方案领导者东芝存储器公司（Toshiba Memory Corporation）今天宣布，已推出其第二代NAND闪存产品系列，用于嵌入式应用。

该产品具有增强的性能和容量[1]，可支持高速数据传输。新的串行接口NAND产品与广泛使用的串行外围设备接口（SPI）兼容，适用于各种消费，工业和通信应用。

样品供货从今天开始，计划从10月开始批量生产。

随著设备在 IoT 和通信应用中的体积越来越小，对小封装大容量闪存的需求不断增长，这些封装可以处理低引脚数的高速数据传输。由于与广泛使用的SPI兼容，

因此串行接口NAND产品可以用作低引脚数，小封装和大容量的SLC NAND闪存产品。

为了支持高速数据传输，与现有的第一代产品[1]相比，新的第二代串行接口NAND产品提供了更高的性能，包括133 MHz的工作频率和 program x4模式。

此外，该系列还增加了8 Gigabit (1 Gigabit)[2]  容量产品，以因应对更大存储容量的需求。

    Outline of the New Products



     Key Features

Notes:

[1]此规格与东芝存储器公司现有的第一代串行接口NAND产品比较, 为东芝内存之调查。

[2]产品容量是根据产品内存储芯片的容量而非最终用户可用于数据存储的存储容量来定义。由于 over head data area，格式，坏块和其他限制，消费者可使用的容量会更少，并且还会因主机设备和应用程序而异。有关详细信息，请参阅适用的产品规格。

[3] WSON：超薄超薄无铅封装

*本文提及的公司名称，产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。