东芝存储器株式会社推出XL-FLASH™存储级内存解决方案
提供高性能NAND;以具有成本效益的方式降低延迟
东京——全球存储器解决方案领导者东芝存储器株式会社今日宣布推出一种新的存储级内存(SCM)解决方案:XL-FLASH™。基于公司创新性BiCS FLASH™ 3D闪存技术 和其中的1bit-per-cell SLC,XL-FLASH™可实现数据中心以及企业级存储的低延迟与高性能。样品出货将于9月启动,量产计划预计从2020年开始。
XL-FLASH™被归类为SCM(或称持续性内存),能够像NAND闪存一样保存其内容,弥补DRAM与NAND之间存在的性能差距。虽然DRAM等易失性存储器解决方案可提供各类严苛应用所需的存取速度,但实现该性能会产生高昂的成本。随著DRAM的每位元储存价格和扩容性趋于稳定,存储器产品中的这一新型SCM(或称持续性内存)提供了一种高密度、高性价比、非易失性NAND闪存解决方案。
XL-FLASH™介于DRAM与NAND闪存之间,它速度快、延迟低、储存容量大,但与传统DRAM相比,成本更低。虽然XL-FLASH™最初以SSD格式开发,但其可扩展成为DRAM总线上的存储设备,例如未来产业标准的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)。
- 主要特点
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- 128 gigabit (Gb) die(支持2-die、4-die、8-die封装)
- 4KB分页大小,操作系统读写效率更高
- 16-plane结构,更高效的并行性
- 快速的分页读以及编程时间。 XL-FLASH™ 可提供低于5微秒的低读取延迟,比现有的TLC快大约10倍
作为NAND闪存的发明者、率先推出3D闪存储器技术以及制程升级领先者的公司,东芝存储器株式会社具备雄厚的实力,能够利用成熟的制造以及经过时间检验的SLC可靠性技术,
完美得交付基于SLC的SCM.
注:
所有公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。
所提及的每一款东芝存储器株式会社产品:产品储存密度根据产品内建的存储器晶片密度来确定,而非最终使用者资料储存的可用存储器容量。由于额外负荷资料区域、格式设定、坏块及其他制约因素,使用者可用容量会减少,根据不同的主机设备和应用,使用者可用容量可能也会有所差异。请参考适用的产品规格瞭解详情。定义1Gb = 2^30 bits= 1,073,741,824 bits。定义1GB = 2^30 bytes= 1,073,741,824 bytes。定义1KB = 2^10 bytes= 1,024 bytes。
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