为电动车直流充电及其他工业应用提供更高的效率：英飞凌CoolSiC™ 肖特基二极体 1200 V G5 系列增添新封装
2019-06-20
英飞凌科技扩充 CoolSiC™ 肖特基 1200 V G5 二极体系列，新增TO247-2 封装产品，可取代硅二极体并提供更高的效率。扩大的 8.7 mm 沿面与空间距离可为高污染环境提供额外的安全性。最高 40 A 的正向电流可满足电动车直流充电、太阳能系统、不断电系统 (UPS) 及其他工业应用的需求。
相较于使用硅二极体，以CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体结合硅 IGBT 或超接面 MOSFET，可提升高达 1% 的效能 (例如，用于三相转换系统的 Vienna 整流器级或 PFC 升压级)。因此，PFC 与 DC-DC 级的输出功率可大幅提升 40% 或更高。
除了可忽略不计的反向恢复耗损 (SiC 肖特基的特性) 之外，CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合还具有同级产品中最佳的正向导通电压 (VF)，以及在温度变化下增加幅度最少的 VF，以及最高突波电流能力。因此能以具有吸引力的价位，提供领先市场的效率与更高的系统可靠性。由于其优异的效率，额定值 10 A 的 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体可直接取代 30 A 硅二极体。
供货情形
CoolSiC™ 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合采用 TO247-2 脚位封装，即日起接受订购，并提供以下五种电流等级：10 A/15 A/20 A/30 A/40 A。详细资讯请浏览 www.infineon.com/sicdiodes1200v。
相较于使用硅二极体，以CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体结合硅 IGBT 或超接面 MOSFET，可提升高达 1% 的效能 (例如，用于三相转换系统的 Vienna 整流器级或 PFC 升压级)。因此，PFC 与 DC-DC 级的输出功率可大幅提升 40% 或更高。
除了可忽略不计的反向恢复耗损 (SiC 肖特基的特性) 之外，CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合还具有同级产品中最佳的正向导通电压 (VF)，以及在温度变化下增加幅度最少的 VF，以及最高突波电流能力。因此能以具有吸引力的价位，提供领先市场的效率与更高的系统可靠性。由于其优异的效率，额定值 10 A 的 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体可直接取代 30 A 硅二极体。
供货情形
CoolSiC™ 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合采用 TO247-2 脚位封装，即日起接受订购，并提供以下五种电流等级：10 A/15 A/20 A/30 A/40 A。详细资讯请浏览 www.infineon.com/sicdiodes1200v。