650 V 碳化硅肖特基二极管（Schottky diode）的开关效能出色且更可靠

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管（Schottky diode）系列产品，扩展SiC二极管产品组合。这些二极管的先进碳化硅技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗，并轻松实现元件并联。

安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培（A）到50 安培（A）的表面黏着（surface mount）和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复（reverse recovery）、低正向压（forward voltage）、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌（surge）容量和正温度系数（temperature coefficient）。

工程师在设计用于太阳能光伏（solar PV）反相器（inverter）、电动车／油电混合动力车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。全新的二极管能为工程师解决这些挑战。

这些650 V元件提供的系统优势包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压（V_F）及SiC二极管的无反向恢复电荷能减少功率损耗，因此提高能效。SiC二极管更快的恢复速度使开关速度更高，因此能够缩减磁性元件和其他被动元件（passive component）的尺寸，实现更高的功率密度与更小的整体电路设计。此外，SiC二极管能承受更高的浪涌电流，并在 -55至 +175°C的工作温度范围内提供稳定性。

安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利终端结构，加强可靠性并提升稳定性和耐用性。此外，二极管提供更高的雪崩能量（avalanche energy）、业界最高的非箝制电感性开关（unclamped inductive switching；UIS）能力和最低的漏电流（leakage current）。

安森美半导体MOSFET业务部资深副总裁暨总经理Simon Keeton表示：“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC元件相辅相成，为客户带来更广泛的产品。SiC技术利用宽能带隙（wide band gap）材料的独特特性，比硅更实惠，其稳健的结构为严苛环境中的应用提供可靠的解决方案。我们的客户将受益于这些简化的、效能更佳、尺寸设计更小的新元件。”