东芝推出新一代600V平面MOSFET系列，结合高效率及低噪声等特色
2018-02-07
东芝电子元件及储存装置株式会社今日(1月17日)宣布推出“第九代π-MOS”，全新600V平面式MOSFET系列，量产出货于即日起启动。
第九代π-MOS系列采用最佳化的芯片设计，与现有的第七代系列相比，其EMI噪声峰值低5dB[1]，但同时又保持了相同水准效率。它提供更大的设计自由度进而助于减少设计的工作量。另外，此系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的MOSFET。
东芝为扩大第九代π-MOS系列之产品阵容，往后将陆续推出更多500V、 600V和650V元件，提供客户更多产品选择。
应用方面
- 笔电AC变压器及游戏机充电器中的小型电源供应器
- 照明电源供应器
产品特点
- 兼具高效率及低噪声
- 额定雪崩电流和直流电流相等
主要规格
|
产品型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
RDS(ON) |
Qg |
Ciss |
现有(π-MOS VII 系列) |
|
|
VDSS (V) |
ID (A) |
||||||
|
TO-220SIS |
600 |
11 |
0.65 |
34 |
1320 |
||
|
TO-220SIS |
600 |
10 |
0.75 |
30 |
1130 |
||
|
TO-220SIS |
600 |
6 |
1.2 |
20.5 |
740 |
TK6A60D (1.25Ω) |
|
|
TO-220SIS |
600 |
3.7 |
1.9 |
14 |
490 |
TK4A60DB (2.0Ω) |
|
注：
[1]：TK10A60D与TK750A60F相比较（65W笔记型电脑变压器在200MHz区域内）。
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