55nm LPx射频平台集成SST的高度可靠的嵌入式SuperFlash®，提供低功耗和成本用于物联网和“互联的”健康与保健设备

GLOBALFOUNDRIES和安森美半导体(ON Semiconductor)，日前宣布推出的系统单芯片（SoC）系列，基于GF的55 nm低功率扩展的（55LPx）、射频(RF)工艺技术平台。安森美半导体的新的RSL10产品基于多协议蓝牙5认证的无线电SoC，能够支持物联网和“互联的”健康与保健市场中先进的无线功能。

安森美半导体医疗及无线产品分部副总裁Robert Tong说：“蓝牙低功耗技术作为连接物联网设备的关键驱动力持续发展，尤其针对具备低功耗需求的设备。GF的55LPx平台凭借其低功耗逻辑和高度可靠的嵌入式SuperFlash® 内存，结合经证实的射频IP，是理想的匹配。RSL10系列提供在深度睡眠模式和峰值接收模式下业界最低的功耗，实现超长的电池使用寿命，并支持在线更新固件等功能。安森美半导体的新的RSL10 SoC使用这些先进的功能以解决广泛的应用，包括可穿戴和智能锁及电器等物联网边缘节点设备。”

GF嵌入式内存副总裁David Eggleston说：“GF的55LPx平台，结合安森美半导体的设计，提供可穿戴SoC技术到55 nm，及业界领先的能效。这再次证实55LPx正成为SoC设计人员寻求高性价比、低功耗和在极端环境中卓越的可靠性的首选。”

GF的55 nm LPx RF平台提供快速开发产品的途径，包括经认证的硅射频IP和硅存储技术（SST）的高度可靠的嵌入式SuperFlash® 内存，具有：

• 非常快的读取速度（＜10ns）
• 小单元尺寸
• 卓越的数据保留（> 20年）
• 超强耐用性（> 20万次）
• 完全通过汽车Grade 1（AEC-Q100）认证

GF的55LPx eFlash平台自2015年在新加坡代工厂的300 mm线量产。55LPx eFlash平台是一个具性价比的方案用于范围广泛的产品，从可穿戴设备到汽车MCU。

客户可通过GF的流程设计套件开始优化他们的芯片设计，使设计人员能够开发要求具性价比的、低功耗、和在极端环境下极高可靠性的差异化的eFlash方案。

关于GF的主流CMOS方案的更多信息，请联系您的GF销售代表或访问www.globalfoundries.com GF。

欲了解关于RSL10产品系列的更多信息，请访问产品页面和阅读博客《提供行业最低功耗到蓝牙低功耗技术》。