日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出A、B和T(低高度B外形的最大高度为1.2mm)外形尺寸，有8种新性能规格的器件，扩充其vPolyTan™的T55系列表面贴装聚合物钽模塑片式电容器。Vishay Polytech T55系列充分利用Vishay领先的封装技术和近期在钽聚合物技术上的投入成果，电容显著提高，ESR大大降低，可用于计算机、通信和工业应用。

2.5V电压下，B外形电容器的电容高达470μF，ESR为25mΩ，电容为330μF的电容器的ESR也较低，为25mΩ。6.3V电压下，A和T外形尺寸的器件改善了ESR，100μF器件的ESR为70mΩ，33μF和220μF的B外形器件的ESR分别为40mΩ和35mΩ。10V电压时，47μF的B外形尺寸器件的ESR低至70mΩ。

T55电容器的低ESR要归功于其聚合物负极，这种负极使电容器的性能远优于采用二氧化锰材料的器件。另外，这些器件具有高达2.28A I_RMS的纹波电流和低内阻，可提高充电和放电特性。电容器适用于计算机、平板电脑、智能手机、无线数据卡和固态硬盘里的电源管理、电池解耦和储能。

T55系列有J、P、A、B和T等5种小外形尺寸，电容从3.3μF到470μF，电压等级从2.5V到10V，电容公差为±20%。器件在+25℃和100kHz下具有500mΩ～25mΩ的超低ESR，可在-55℃～+105℃温度范围内工作，温度超过+85℃时需要电压降额。

T55系列电容器采用无铅端接，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。器件适合高速自动拾放设备，潮湿敏感度等级(MSL)为3。

增强型T55系列现可提供样品，并已实现量产。