ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。可采用带有或不带有米勒箝位的单极性或双极性副电源工作。

ADI芯片级变压器还提供芯片高压域与低压域之间的控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。 当器件原边出现副电源故障后，对器件复位进行控制。

去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。 去饱和保护包含降噪特性，比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后，屏蔽时间为300 ns。 内部500 µA电流源可确保很少的器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。

副边UVLO设置为11V，并注意公共IGBT阈值电平。

产品规格

• 4 A峰值驱动输出能力
• 输出功率器件电阻 < 1奥姆
• 低传播延迟（典型值50ns）/延迟偏斜（典型值15ns）

产品应用

•  MOSFET/IGBT gate drivers
•  PV inverters
•  Motor drives
•  Power supplies