Vishay 推出22款导通电阻低至30mΩ电流达6A～105A的新器件扩充650V N沟道功率MOSFET系列
【产品介绍】
新的E系列器件采用超级结技术，在8种封装中实现低FOM和高功率密度
【产品特色】
其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，我们拓展了器件的峰值性能指针。
【规格说明】
推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因子校正、服务器和通信电源系统、焊接、不断电供应系统(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。
器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。
|
编号 |
V(BR)DSS (V) |
ID @ 25C(A) |
RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (mΩ) |
Qg typ @ Vgs = 10V (nC) |
封装 |
样品 |
|
SiHP6N65E |
650 |
6 |
600 |
21 |
TO220 |
已发布 |
|
SiHF6N65E |
650 |
6 |
600 |
21 |
TO220F |
已发布 |
|
SiHB6N65E |
650 |
6 |
600 |
21 |
TO263 (D2PAK) |
已发布 |
|
SiHD6N65E |
650 |
6 |
600 |
21 |
TO252 (DPAK) |
已发布 |
|
SiHU6N65E |
650 |
6 |
600 |
21 |
TO251 (IPAK) |
已发布 |
|
SiHP12N65E |
650 |
12 |
380 |
33 |
TO220 |
可供货 |
|
SiHB12N65E |
650 |
12 |
380 |
33 |
TO263 (D2PAK) |
可供货 |
|
SiHF12N65E |
650 |
12 |
380 |
33 |
TO220F |
可供货 |
|
SiHP15N65E |
650 |
15 |
280 |
44 |
TO220 |
已发布 |
|
SiHB15N65E |
650 |
15 |
280 |
44 |
TO263 (D2PAK) |
已发布 |
|
SiHF15N65E |
650 |
15 |
280 |
44 |
TO220F |
已发布 |
|
SiHP22N65E |
650 |
22 |
180 |
65 |
TO220 |
已发布 |
|
SiHF22N65E |
650 |
22 |
180 |
65 |
TO220F |
已发布 |
|
SiHB22N65E |
650 |
22 |
180 |
65 |
TO263 (D2PAK) |
已发布 |
|
SiHG22N65E |
650 |
22 |
180 |
65 |
TO247AC |
已发布 |
|
SiHP24N65E |
650 |
24 |
150 |
83 |
TO220 |
已发布 |
|
SiHB24N65E |
650 |
24 |
150 |
83 |
TO263 (D2PAK) |
已发布 |
|
SiHG24N65E |
650 |
24 |
150 |
83 |
TO247AC |
已发布 |
|
SiHP28N65E |
650 |
28 |
125 |
99 |
TO220 |
五月 |
|
SiHG28N65E |
650 |
28 |
125 |
99 |
TO247AC |
五月 |
|
SiHW28N65E |
650 |
28 |
125 |
99 |
TO247AD |
五月 |
|
SiHG47N65E |
650 |
47 |
70 |
178 |
TO247AC |
可供货 |
|
SiHW47N65E |
650 |
47 |
70 |
178 |
TO247AD |
可供货 |
|
SiHG64N65E |
650 |
65 |
51 |
244 |
TO247AC |
五月 |
|
SiHW64N65E |
650 |
65 |
51 |
244 |
TO247AD |
五月 |
|
SiHS105N65E |
650 |
105 |
30 |
405 |
Super TO247 |
五月 |
【产品参考文件】
http://www.vishay.com/company/press/releases/2013/130522mosfet/