Vishay Intertechnology Inc. 于日前宣布，推出具有为PWM及最佳化的High /Low Side N信道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、此为半导体的IC 称为DrMOS，这IC有低薄外形、热增强型PowerPAK® MLP 6x6的40脚的封装。新的SiC779CD完全符合针对服务器和桌上型计算机、VGA Card、工作站、游戏机和其它采用CPU的高功率系统中电压调节器的电源产品。此IC的工作频率超过1MHz，效率大于93%。

SiC779CD的先进栅极驱动IC可接收来自VR控制器的一个PWM输入，并把输入转换成High /Low Side MOSFET的栅极驱动信号。此IC的5V PWM输入兼容所有控制器，经过特殊设计，可支持具有三态PWM输出电压的控制器。

可调节3V～16V的输入电压进行工作，最高可输出40A的连续电流。集成的功率MOSFET为0.8V～2.0V的输出电压进行了最佳化，标准输入电压为12V。SiC779CD在5V输出下可为ASIC应用提供最高的功率。

此IC的MOSFET驱动具有能自动侦测轻负载情况的电路，能自动开启系统中为在轻负载条件下实现高效率而设计的跳频模式工作(SMOD)。主动式失效时间控制有助于进一步提高在所有负载点上的效率。保护功能包括UVLO、过电压保护，在IC本体温度过高时，过热警示功能可对系统发出警报信号。

在SiC779CD里的MOSFET驱动IC和功率MOSFET能够减少功率损耗，减小与高频功率所产生的寄生阻抗。设计者可调节频率进行最佳化调整，改善瞬态反应，节约输出滤波器组件的成本，在多项输出应用中实现尽可能高的功率密度。

此IC符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiC779CD现可提供样品，且已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。

有关Vishay 的详细信息，可以访问其网站：http://www.vishay.com。

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