意法半導體(ST)提升車用40V MOSFET的雜訊性能和能效
2017-03-08
ST發佈兩款40V汽車級MOSFET。新產品採用意法半導體最新的STripFET™ F7製造技術，開關性能優異，能效出色，雜訊輻射極低，耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統，同時優異的開關特性使其特別適用於電機驅動裝置，例如電動助力轉向系統(EPS)。
意法半導體的STripFET系列採用DeepGATE™技術降低晶片單位面積導通電阻RDS(on)和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值，在採用相同的功率器件封裝條件能效非常優異。高雪崩特點是新產品另一大亮點。
通過降低體效應二極體的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr)，STripFET F7的開關性能尤其是能效大幅提升，同時軟度更高的反向恢復可最大限度降低靜電干擾 (EMI)，從而放寬對濾波器件的要求。此外，電容得到優化，使器件抗噪性得到改善，緩解了對緩衝電路的需求，閾壓調校使器件具有良好的耐抗誤導通性能，而無需專用柵驅動器。在電機驅動等電橋拓撲中，二極體軟恢復方法有助於防止直通電流現象發生，從而提高驅動電路的可靠性。
40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通過AEC-Q101標準認證，採用側面支持濕法焊接的PowerFLAT 5x6封裝。緊湊的封裝面積和0.8mm的厚度支援高系統功率密度，此外側面鍍錫設計有助於提升焊接可靠性和壽命，100%支援自動光學檢驗工序。
40V車用STripFET F7 MOSFET已量產。
