東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET-TK040N65Z
東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET
- 進一步提升電源供應系統效率 -
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出新一代650V Super Junction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。
TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件，支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(IDP)。提供0.04Ω（0.033Ω典型值）的超低汲源極導通電阻RDS(ON)，以減少電源應用的損耗。更低的電容設計，使其IC成為現代高速電源應用首選元件。
改善並壓低主要性能係數- RDS(ON) x Qgd，電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品，TK040N65Z在此係數降低了40%，表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%[1]。
新產品為工業標準TO-247封裝，不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。
產品特點
- 降低RDS(ON) × Qgd減少切換耗損進而提升效率
應用方面
- 資料庫(伺服器電源供應等)
- 太陽能發電機功率調節器
- 不斷電系統
產品規格
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產品型號 |
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封裝 |
TO-247 |
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絕對最大額定值 |
Drain-source voltage VDSS (V) |
650 |
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Drain current (DC) ID (A) |
57 |
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最大導通電阻 RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω) |
0.040 |
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Total gate charge Qg typ. (nC) |
105 |
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Gate-drain charge Qgd typ. (nC) |
27 |
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輸入電容 Ciss typ. (pF) |
6250 |
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[1] 此數值由東芝測試於2018年6月(2.5kW PFC線路,輸出為2.5kW)
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