新裝置系列提供標準型 6 mm x 6 mm PowerPAK MLP66-40L及全新 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L、及 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封裝

日前推出新型 VRPower^® 整合型 DrMOS 功率級解決方案，提供三種 PowerPAK^® 封裝尺寸，以應對高功率高效率多相 POL 應用領域。威世 Siliconix SiC789 與 SiC788 採用 MLP66-40L 封裝，為 Intel^® 4.0 DrMOS 標準(6 mm x 6 mm) 腳位，而 SiC620 及 SiC620R 則採用全新的 5 mm x 5 mm MLP55-31L 封裝，SiC521 則是 4.5 mm x 3.5 mm 的 MLP4535-22L 封裝。此裝置被優化于需要高電流，有空間限制的運算、儲存設備、電信交換器、路由器、圖形卡與比特幣挖礦機的 DC/DC電轉換器。

SiC789 及 SiC788 的 6 mm x 6 mm 提供更方便的升級路徑，給設計上需要更高的輸出功率並已使用Intel 標準 DrMOS 4.0 的腳位者，全新5 mm x 5 mm 及 3.5 mm x 4.5 mm的腳位元，給設計上需要更局限、緊湊空間的電壓調節器，提供更理想的選擇。PowerPAK MLP55-31L 及 MLP4535-22L 改善數種在封裝上所產生的寄生及熱度效應，鞏固威世在Gen IV MOSFET 最先進的動態性能。

例如，在傳統多相降壓型轉換器設計中，採用雙邊冷卻 MLP55-31L 封裝的 SiC620R 可傳送 70 A，效率為 95 %。本裝置能同時冷卻封裝頂部及底部，較前一代封裝相比減少 20 % 的損失，占板面積也減少 33 %。縮小型的 3.5 mm x 4.5 mm SiC521 可在筆電、伺服器週邊設備、電信交換器、遊戲主機板等設計中傳送高達 25 A 的連續電流，電流峰值達到 40 A。

VRPower 系列閘極驅動 IC 可應用於多種 PWM 控制器，並支援 5 V 及 3.3 V 的三態 PMW　邏輯。此外，驅動 IC 結合了二極體模擬模式電路，用於提升輕載效率。另外，自我調整死區時間控制，能更進一步提升所有負載點的效率。本裝置更具備欠電壓鎖定功能 (UVLO)、短路保護及過熱警告（能在系統接面溫度過高時發出警示）等特殊功能。

裝置規格表：