新聞中心

ST 意法半導體的節能功率晶片系列產品可提升能效、安全性和可靠性

 2014-06-24

 

最新的高速絕緣柵雙極電晶體(IGBT)兼具近乎完美的開關能效和650V的寬額定工作電壓,為應用設計提供更高的安全係數

 

 

 

意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極電晶體(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產品低達40%的關機能耗,同時可降低達30%的導通損耗。

 

HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速電晶體製造工藝,集電極關斷尾電流極低,飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值),從而最大限度降低了開關和導通時的能耗。此外,這項技術具有良好的可控性,參數分佈視窗十分緊密,從而可提高設計再用性,簡化系統設計。

 

意法半導體的HB系列IGBT 可提升目標應用的能效,例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數校正器和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40°C時擊穿電壓至少600V,使其特別適用於高寒地區的太陽能逆變器。175°C的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA)提高了產品的可靠性,准許目標應用使用更小的散熱器。

 

可選參數包括30A到80A(在100°C時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關電路優化的內置二極體的封裝。

 

HB系列產品現已量產。詳情訪問www.st.com/igbt

 

 

 

 

關於意法半導體

意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為客戶提供感測器、功率器件、汽車產品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧消費電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技引領智慧生活(life.augmented)的理念。詳情請訪問公司網站www.st.com