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MXIC旺宏电子发展下世代宽电压/超低功耗闪存,攻穿戴式智能装置市场

 2015-03-11

 

全球非挥发性内存(Non-Volatile Memory)解决方案领导厂商旺宏电子(股票代号:2337)今日宣布推出新系列高效能、宽电压/超低功耗,适合穿戴式装置的下世代NOR Flash内存解决方案-MX25R产品家族。此新型宽电压/超低功耗MX25R产品家族,采用标准Serial NOR闪存接口、提供超小体积如USON、WLCSP的封装产品,亦可提供良裸晶KGD与主芯片搭配: Vcc宽电压设计 (1.7V~3.6V) 比传统减少60%以上的超低功耗,可以依照穿戴式产品不同需求来做选择。

 

目前,穿戴式装置市场正在快速起飞,IDC统计指出,到2018年市场总量约可扩大到1.12亿台的规模,年复合成长率达78.4%;针对此庞大的穿戴式装置商机,旺宏亦早已展开策略布局市场,并加速开发相关产品解决方案 (如宽电压/超低功耗NOR Flash),希冀在此日益增长的市场抢占一席之地。

 

旺宏市场营销处副处长林民正先生表示:「因应此波智能穿戴式装置的需求,低功耗、微小化的组件设计将会是穿戴式装置能否快速普及的主要关键因素;而下世代内存将会朝这些方向发展:1.接口采标准化,容易导入为优先、2.外型规格越小越轻薄、3.供电设计则以低电压与低耗能为主。」

 

目前,旺宏广泛应用于穿戴式产品的NOR Flash产品解决方案,除了此次新推出的宽电压/超低功耗MX25R产品家族之外,主要还包括1.8V 512Kb~512Mb Serial NOR产品系列,可搭配KGD良裸晶、WLCSP晶圆级封装等小尺寸封装,而MCP多芯片封装内存也已有许多智能穿戴科技产品纷纷选用。此外,旺宏在创新内存技术的研发上也不遗余力,主要为:1. VG (vertical gate;垂直闸极) 的3D NAND,采自家专利的BE-SONOS技术,突破制程极限2. ReRAM (磁变电阻式内存) 技术,具高速、低耗电、简单储存单元架构、未来更可应用于穿戴式应用产品。

 

旺宏穿戴式装置产品解决方案:

 

  •  1.7V ~ 3.6V Serial NOR (MX25R): 512Kb ~ 64Mb

-   Packages: 8-SOP、8-WSON、8-USON、WLCSP、KGD

-   64Mb Sampling

 

  •  1.8V Serial NOR (MX25/66U): 512Kb ~ 512Mb

-   Packages: 2*3/ 4*3/ 4*4 USON、6*5/ 6*8 WSON、WLCSP、KGD

-  Available

 

  •  1.8V NOR MCP

-   MX65U ( SPI-NOR + pSRAM) : 64Mb+32Mb, 128Mb +64Mb

-   MX69N ( AD-Mux PNOR + pSRAM): 64Mb +32Mb

-   MX69V ( AD-MUX PNOR + pSRAM): 128Mb +64Mb

-   Packages: 6.2*7.7/ 6*6 TFBGA

-   Available

 

  •  1.8V NAND MCP

-   MX63U ( SLC NAND + LPDDR2): 4Gb+2Gb, 2Gb+1Gb, 1Gb+1Gb

-   Packages: 8*10.5/8*9 VFBGA

-   Available

 

旺宏电子股份有限公司

旺宏电子为全球非挥发性内存整合组件领导厂商,提供跨越广泛规格及容量的ROM只读存储器、NOR型闪存以及NAND型闪存解决方案。旺宏电子以世界级的研发与制造能力,提供最高质量、创新及具备高性能表现的产品,以供客户应用于消费、通讯、计算机、汽车电子、网通及其他等领域。

 

 

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