東芝存儲器公司推出支持嵌入式應用的新型NAND閃存產品,支持高速數據傳輸
2019-10-01
第二代串行接口NAND產品,具有更高的性能和容量,增加了產品陣容

東京–全球存儲器解決方案領導者東芝存儲器公司(Toshiba Memory Corporation)今天宣布,已推出其第二代NAND閃存產品系列,用於嵌入式應用,
該產品具有增強的性能和容量[1],可支持高速數據傳輸。新的串行接口NAND產品與廣泛使用的串行外圍設備接口(SPI)兼容,適用於各種消費,工業和通信應用。
樣品供貨從今天開始,計劃從10月開始批量生產。
隨著設備在 IoT 和通信應用中的體積越來越小,對小封裝大容量閃存的需求不斷增長,這些封裝可以處理低引腳數的高速數據傳輸。由於與廣泛使用的SPI兼容,
因此串行接口NAND產品可以用作低引腳數,小封裝和大容量的SLC NAND閃存產品。
為了支持高速數據傳輸,與現有的第一代產品[1]相比,新的第二代串行接口NAND產品提供了更高的性能,包括133 MHz的工作頻率和 program x4模式。
此外,該系列還增加了8 Gigabit (1 Gigabit)[2] 容量產品,以因應對更大存儲容量的需求。
Outline of the New Products
Key Features
Notes:
[1]此規格與東芝存儲器公司現有的第一代串行接口NAND產品比較, 為東芝內存之調查。
[2]產品容量是根據產品內存儲芯片的容量而非最終用戶可用於數據存儲的存儲容量來定義。由於 over head data area,格式,壞塊和其他限制,消費者可使用的容量會更少,並且還會因主機設備和應用程序而異。有關詳細信息,請參閱適用的產品規格。
[3] WSON:超薄超薄無鉛封裝
*本文提及的公司名稱,產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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