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安森美半導體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅動器在中國獲2019年度“Top 10電源產品獎”

2019-09-25

行業認可首款用於 GaN功率開關的高性能、650 V高壓半橋門極驅動器

安森美半導體獲選為2019年度 “Top 10電源產品獎”。該年度獎項是中國備受認同的確定10大最具開創性的設計及技術有顯著進步電源產品的行業基準之一。

安森美半導體的NCP51820是技術先進的方案,專為滿足驅動離線、半橋電源拓撲中增強型GaN器件的嚴格要求而設計。

該獲獎器件提供許多獨特的特性,包括針對GaN優化的調節門極驅動輸出電壓和用於EMI雜訊調節的單獨的源極和汲極引腳。該驅動器提供少於25 ns的短的傳輸延遲,先進的電平移位技術使-3.5 V至+650 V (典型)共模電壓範圍用於高邊驅動,-3.5 V 至 +3.5 V共模電壓範圍用於低邊驅動。此外,該器件還支持驅動器兩個輸出級穩定的dV/dt運行達200 V/ns,確保在高速開關應用中的強固性能。

GaN技術有潛力提供更低的開關損耗和更高的功率密度,但實現這些好處取決於有針對GaN優化的、具有強固保護特性的門極驅動電路。為了充分保護GaN功率電晶體的門極免受過壓應力的影響,NCP51820的兩個驅動級都採用專用的穩壓器以精確保持柵源驅動信號的幅值。安森美半導體的NCP 51820還提供重要的保護功能,如獨立的欠壓鎖定(UVLO)、監測器件工作電壓(VDD)的偏置電壓和高壓供電端(VDDH)及低壓供電端(VDDL)驅動偏置,以及基於器件裸片結溫的熱關斷。

安森美半導體市場行銷與應用總監Ryan Zhan說:“我們很自豪獲《21IC中國電子網》評委認可我司NCP51820的先進和獨特特性。 由於能源成本上升和可用空間有限,對更小尺寸、更高能效的電源配置需求持續增長。 我們的NCP51820突破了傳統的隔離半橋門極驅動器的限制,並集成優化的GaN門極驅動器,以實現基於GaN的最簡單、最具性價比的方案。”

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