Vishay推出RDS（ON）為4 m ohm 占位面積3.3 mm2的60 V MOSFET提高效率和功率密度
2019-09-02
Vishay宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET，業內首款適用於標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW，採用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用於提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時具有低輸出電荷（QOSS）。
與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平台電壓，適用於柵極驅動電壓高於6 V的電路，器件最佳動態特性縮短死區時間，防止同步整流應用發生擊穿。SiSS22DN業內低導通電阻比排名第二的產品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC，QOSS與導通電阻乘積，即零電壓開關（ZVS）或開關櫃拓撲結構功率轉換設計中，MOSFET的重要優值係數（FOM）達到最佳水平。為實現更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節省65%的PCB空間。
SiSS22DN改進了技術規格，經過調校最大限度降低導通和開關損耗，多電源管理系統構件可實現更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。
MOSFET經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
SiSS22DN現可提供樣品並已實現量產。