三星電子開始實現首款512GB eUFS 3.0的批量生產，使智能手機存儲速度加倍
三星電子是先進存儲器技術的全球領導者，今天宣布開始大規模生產業界首款用於下一代移動設備的512 GB嵌入式通用Flash（eUFS）3.0。 根據最新的eUFS 3.0規範，新款的速度是之前eUFS存儲（eUFS 2.1）的兩倍，允許手機記憶體在未來支援用戶無縫體驗具有超大型高分辨率屏幕的智能手機。
“開始大規模生產的eUFS 3.0系列產品為我們在下一代移動市場帶來了巨大的優勢，在此之前這種讀取速度的記憶體僅提供在超薄筆記本電腦上，”Cheol Choi三星電子記憶體銷售和營銷執行副總裁表示。“隨著我們擴展我們的eUFS 3.0產品，包括今年晚些時候的1TB（TB）版本，我們預計將在加速優質手機市場的發展勢頭中發揮重要作用。”
2015年1月，三星憑藉eUFS 2.0生產了業界首款UFS介面，比當時的移動存儲器(eMMC)標準快1.4倍。在短短四年內，該公司最新的eUFS 3.0與當今超薄筆記本電腦的性能相匹配。
三星的512GB eUFS 3.0堆疊了八個該公司第五代512 Gb V-NAND裸片，並集成了高性能控制器。新的eUFS以2,100 MB / s的速度，使1月份宣布的三星最新eUFS記憶體（eUFS 2.1）的順序讀取速率加倍。新解決方案的超快讀取速度是SATA固態硬碟（SSD）的四倍，比典型的microSD卡快20倍，使高級智能手機能夠在大約三秒內將全高清電影傳輸到PC 。此外，順序寫入(sequential write)速度也提高了50％，達到410MB / s，相當於SATA SSD的速度。
新記憶體的隨機讀寫速度比目前的eUFS 2.1規範提高了36％，分別為63,000和68,000輸入/輸出操作（IOPS）。隨著隨機讀取和寫入的顯著增益比一般microSD卡（100 IOPS）快630倍，可以同時運行許多複雜的應用程序，同時實現增強的響應性，尤其是在最新一代的移動設備上。
繼本月推出的512GB eUFS 3.0和128GB版本之後，三星計劃在今年下半年生產1TB和256GB型號，以進一步幫助全球設備製造商更好地提供未來的移動創新。
eMMC, UFS 各版本效能比較圖表
