東芝推出新一代600V平面MOSFET系列,結合高效率及低雜訊等特色
2018-02-07
東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(1月17日)宣布推出「第九代π-MOS」,全新600V平面式MOSFET系列,量產出貨於即日起啟動。
第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計,與現有的第七代系列相比,其EMI雜訊峰值低5dB[1],但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量。另外,此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流,可輕鬆取代現有的MOSFET。
東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容,往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件,提供客戶更多產品選擇。
應用方面
- 筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器
- 照明電源供應器
產品特點
- 兼具高效率及低雜訊
- 額定雪崩電流和直流電流相等
主要規格
產品型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
RDS(ON) |
Qg |
Ciss |
現有(π-MOS VII 系列) |
|
VDSS (V) |
ID (A) |
||||||
TO-220SIS |
600 |
11 |
0.65 |
34 |
1320 |
||
TO-220SIS |
600 |
10 |
0.75 |
30 |
1130 |
||
TO-220SIS |
600 |
6 |
1.2 |
20.5 |
740 |
TK6A60D (1.25Ω) |
|
TO-220SIS |
600 |
3.7 |
1.9 |
14 |
490 |
TK4A60DB (2.0Ω) |
註:
[1]:TK10A60D與TK750A60F相比較(65W筆記型電腦變壓器在200MHz區域內)。
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