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Vishay vPolyTan™低ESR聚合物電容器通過提高體積效率來減少元器件數量

2017-09-20

器件具有業內最佳的電容密度和超低ESR,使用模塑EE(7343-43)外形編碼

 

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣佈,推出新系列vPolyTan™多陽極聚合物表面貼裝片式電容器。電容器提高了體積效率,可用於計算、通信和工業應用。T59系列使用了聚合物鉭材料技術和Vishay擁有專利的多陣列封裝(MAP),具有業內最高的電容密度,並保持了一流的ESR性能。

 

此電容器使用模塑EE(7343-43)外形編碼,單位體積的電容比同類器件高25%,能夠實現更高的電容和電壓等級。例如,這些電容器在30V下的電容為150μF,比最接近的對標器件的電容高三倍。另外,T59系列的封裝十分先進,使器件在+25℃和100kHz條件下保持25mΩ~150mΩ的超低ESR。

 

器件的電容從15μF到470μF,電容公差為±20%,可承受75V的過電壓。T59系列電容器可用在固態驅動器、網路設備和主機板裡,能取代多個較低電容的器件,減少元器件數量,節省電路板空間,降低成本。在這些產品當中,這些電容器可用于解耦、平滑、濾波和儲能應用。

 

在100kHz下,T59系列的紋波電流從1.3A到3.1A,工作溫度範圍為-55℃~+105℃。器件符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素,提供無鉛和錫/鉛(Sn/Pb)卷包端接,採用符合EIA-481標準的卷帶包裝。電容器進行了100%的浪湧電流測試,確保在高湧入電流應用裡的魯棒性。

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