Vishay 推出22款導通電阻低至30mΩ電流達6A～105A的新器件擴充650V N溝道功率MOSFET系列

2013-07-03

【產品介紹】

新的E系列器件採用超級結技術，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度

【產品特色】

其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件採用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。650V E系列MOSFET基於下一代Vishay Siliconix超級結技術，針對可再生能源、工業、照明、電信、消費和計算市場中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應用，我們拓展了器件的峰值性能指標。

【規格說明】

推出的器件使E系列的器件總數達到26個。所有E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現極低的傳導和開關損耗，可在功率因數校正、伺服器和通信電源系統、焊接、不斷電供應系統(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體製造設備、適配器和太陽能逆變器等高功率、高性能開關電源中節省能源。

器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈衝而設計，通過100%的UIS測試確保極限性能。

編號	V_(BR)DSS (V)	I_D @ 25C(A)	R_DS(ON) max. @ V_gs = 10 V (mΩ)	Q_g typ @ Vgs = 10V (nC)	封裝	樣品
SiHP6N65E	650	6	600	21	TO220	已發佈
SiHF6N65E	650	6	600	21	TO220F	已發佈
SiHB6N65E	650	6	600	21	TO263 (D2PAK)	已發佈
SiHD6N65E	650	6	600	21	TO252 (DPAK)	已發佈
SiHU6N65E	650	6	600	21	TO251 (IPAK)	已發佈
SiHP12N65E	650	12	380	33	TO220	可供貨
SiHB12N65E	650	12	380	33	TO263 (D2PAK)	可供貨
SiHF12N65E	650	12	380	33	TO220F	可供貨
SiHP15N65E	650	15	280	44	TO220	已發佈
SiHB15N65E	650	15	280	44	TO263 (D2PAK)	已發佈
SiHF15N65E	650	15	280	44	TO220F	已發佈
SiHP22N65E	650	22	180	65	TO220	已發佈
SiHF22N65E	650	22	180	65	TO220F	已發佈
SiHB22N65E	650	22	180	65	TO263 (D2PAK)	已發佈
SiHG22N65E	650	22	180	65	TO247AC	已發佈
SiHP24N65E	650	24	150	83	TO220	已發佈
SiHB24N65E	650	24	150	83	TO263 (D2PAK)	已發佈
SiHG24N65E	650	24	150	83	TO247AC	已發佈
SiHP28N65E	650	28	125	99	TO220	五月
SiHG28N65E	650	28	125	99	TO247AC	五月
SiHW28N65E	650	28	125	99	TO247AD	五月
SiHG47N65E	650	47	70	178	TO247AC	可供貨
SiHW47N65E	650	47	70	178	TO247AD	可供貨
SiHG64N65E	650	65	51	244	TO247AC	五月
SiHW64N65E	650	65	51	244	TO247AD	五月
SiHS105N65E	650	105	30	405	Super TO247	五月

【產品參考文件】

http://www.vishay.com/company/press/releases/2013/130522mosfet/

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