為電動車直流充電及其他工業應用提供更高的效率：英飛凌CoolSiC™ 肖特基二極體 1200 V G5 系列增添新封裝
2019-06-20
英飛凌科技擴充 CoolSiC™ 肖特基 1200 V G5 二極體系列，新增TO247-2 封裝產品，可取代矽二極體並提供更高的效率。擴大的 8.7 mm 沿面與空間距離可為高污染環境提供額外的安全性。最高 40 A 的正向電流可滿足電動車直流充電、太陽能系統、不斷電系統 (UPS) 及其他工業應用的需求。
相較於使用矽二極體，以CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體結合矽 IGBT 或超接面 MOSFET，可提升高達 1% 的效能 (例如，用於三相轉換系統的 Vienna 整流器級或 PFC 升壓級)。因此，PFC 與 DC-DC 級的輸出功率可大幅提升 40% 或更高。
除了可忽略不計的反向恢復耗損 (SiC 肖特基的特性) 之外，CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合還具有同級產品中最佳的正向導通電壓 (VF)，以及在溫度變化下增加幅度最少的 VF，以及最高突波電流能力。因此能以具有吸引力的價位，提供領先市場的效率與更高的系統可靠性。由於其優異的效率，額定值 10 A 的 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體可直接取代 30 A 矽二極體。
供貨情形
CoolSiC™ 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合採用 TO247-2 腳位封裝，即日起接受訂購，並提供以下五種電流等級：10 A/15 A/20 A/30 A/40 A。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/sicdiodes1200v。
相較於使用矽二極體，以CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體結合矽 IGBT 或超接面 MOSFET，可提升高達 1% 的效能 (例如，用於三相轉換系統的 Vienna 整流器級或 PFC 升壓級)。因此，PFC 與 DC-DC 級的輸出功率可大幅提升 40% 或更高。
除了可忽略不計的反向恢復耗損 (SiC 肖特基的特性) 之外，CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合還具有同級產品中最佳的正向導通電壓 (VF)，以及在溫度變化下增加幅度最少的 VF，以及最高突波電流能力。因此能以具有吸引力的價位，提供領先市場的效率與更高的系統可靠性。由於其優異的效率，額定值 10 A 的 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體可直接取代 30 A 矽二極體。
供貨情形
CoolSiC™ 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合採用 TO247-2 腳位封裝，即日起接受訂購，並提供以下五種電流等級：10 A/15 A/20 A/30 A/40 A。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/sicdiodes1200v。