安森美半導體發佈碳化矽（SiC）二極管用於要求嚴苛的汽車應用
更低損耗及更快速的開關帶來高能效、節省空間的方案並降低系統總成本
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），發佈了碳化矽（SiC）肖特基二極體（Schottky diode）的擴展系列，包括專門用於要求嚴苛的汽車應用元件。全新符合AEC-Q101車規的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和耐用性，以及等同於寬能帶隙（WBG）技術的眾多性能優勢。
碳化矽（SiC）技術提供比矽元件更佳的開關性能及更高的可靠性。碳化矽（SiC）二極管沒有反向回復電流，而開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾（EMI），減小的系統尺寸和降低的成本使碳化矽（SiC）成為越來越多高性能汽車應用的極佳選擇。
安森美半導體新的碳化矽（SiC）二極管採用流行的表面黏著和通孔封裝，包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代元件和FFSHx065 650 V 第二代元件提供零反向回復、低正向電壓、與溫度無關的電流穩定性、極低漏電流、高突波容量和正溫度係數。它們提供更高的能效，而更快的回復則提高開關速度，進而縮小所需的磁性組件尺寸。
為了滿足堅固性要求，並在汽車應用惡劣的電氣環境中可靠地運作，二極管的設計能夠承受大的突波電流。它們還包含一種提高可靠性和增強穩定性的獨特專利終端結構。運作溫度範圍為-55℃至175℃。
安森美半導體資深總監Fabio Necco說：「安森美半導體推出符合AEC車規的元件，擴展了肖特基二極管系列，為汽車應用帶來碳化矽（SiC）技術的顯著優勢，使客戶能夠達到此產業對性能的嚴苛要求。碳化矽（SiC）技術非常適用於汽車環境，提供更高的能效、更快的開關、更好的熱性能和更高的堅固性。在講究節省空間和重量的領域，SiC的高功率密度有助於減少整體解決方案的尺寸，以及較小型磁性組件所帶來的相關優勢，都受客戶歡迎。」
安森美半導體將在PCIM期間展示這些新的元件以及公司在寬能帶隙（WBG）、汽車、電動機控制、USB-C供電及LED照明等領域的解決方案與用於工業預測性維護應用的智慧被動感測器（Smart Passive Sensors）。
安森美半導體有領先產業的進階仿真程式（SPICE）模型，該模型易於受到程序參數和電路佈置擾動的影響，因此對於當前產業建模能力是一大進步。使用該工具，電路設計人員可提早在仿真過程評估技術，無需再經過昂貴且耗時的製造迭代。安森美半導體堅固的SPICE預測模型的另一個好處是它可連接到多種產業標準的仿真平台。
欲瞭解關於安森美半導體在PCIM的更多資訊，請參閱www.onsemi.com/pcim 。
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