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Toshiba推出搭載高效率、靜電放電保護、小型封裝MOSFFT 適用於車用LED頭燈驅動器

2018-06-20

 

東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET IC – SSM6N813R,此新產品適用於需耐高壓及小尺寸的車用產品或裝置,包括LED頭燈驅動IC,並於4月開始量產出貨。

新IC – SSM6N13R擁有100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保並適用需要多個LED的車用頭燈產品,高靜電放電抗擾為此提供支援。此新產品採用最新製程,且為TSOP6F封裝(比SOP8封裝小70%),其具備1.5W的允許功耗及低導通電阻。

 

應用方面

-         車用LED頭燈驅動器

 

產品特點

-             小型封裝

-             高效率靜電放電保護

-             低RDS(ON)

 

主要規格

(@Ta=25℃)

項目
(Ta=25
℃)

SSM6N813R

Absolute maximum ratings

漏源極電壓
VDSS (V)

100

閘源極電壓
VGSS (V)

±20

漏極電流
ID (A)

3.5

電器特性

漏源極導通電阻
RDS(ON) max (mΩ)

VGS=10V

112

VGS=4.5V

 154

輸入電容
Ciss typ. (pF)

242

封裝

TSOP6F

2.9mm×2.8mm; t=0.8mm

 

 

 

 

想要進一步瞭解代理商資訊,請造訪詮鼎集團www.aitgroup.com.tw

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