器件的高度小於0.4mm，反向擊穿電壓超過15.5V，可用于智慧手機和平板電腦

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣佈，推出新的雙向和對稱(BiAs)單線ESD保護二極體，可用於可擕式電子產品。二極體具有超過15.5V的反向雪崩擊穿電壓和低正向電壓，採用超小的LLP1006-2L封裝。

Vishay Semiconductors VESD15A1-HD1-G4-08具有1.0mm x 0.6mm的小占位和不到0.4mm的極低高度，在智慧手機、平板電腦、遊戲機和MP3播放機等產品中可減少ESD保護所需的電路板空間。對於這些設備，二極體的洩漏電流小於0.01μA，在0V下的負載電容為45pF，能提供很高的到地隔離。

任何超過15.5V反向擊穿電壓的瞬態電壓信號都將被鉗位元，並短路到地。負極性瞬態電壓信號在正方向上驅動二極體，也會被鉗位到地電平以下。器件在1A電流下的最大反向和正向鉗位元電壓分別為20V和1.3V。

VESD15A1-HD1-G4-08能夠為一條資料線提供瞬態保護，保護等級達到per IEC 61000 4 2要求的3kV(空氣和接觸放電)，可對超過6A的高浪湧電流進行保護，符合IEC 61000-4-5要求。器件的潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-020的1級，達到UL 94 V-0規定的阻燃等級，在pin腳上鍍鎳鈀金，以防止錫鬚生長。保護二極體符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。可以用標準視覺檢查對焊接進行檢查，無需進行X射線檢查。