55nm LPx射頻平臺集成SST的高度可靠的嵌入式SuperFlash®，提供低功耗和成本用於物聯網和“互聯的”健康與保健設備 

GLOBALFOUNDRIES和安森美半導體(ON Semiconductor)，日前宣佈推出的系統單晶片（SoC）系列，基於GF的55 nm低功率擴展的（55LPx）、射頻(RF)工藝技術平臺。安森美半導體的新的RSL10產品基於多協定藍牙5認證的無線電SoC，能夠支持物聯網和“互聯的”健康與保健市場中先進的無線功能。

安森美半導體醫療及無線產品分部副總裁Robert Tong說：“藍牙低功耗技術作為連接物聯網設備的關鍵驅動力持續發展，尤其針對具備低功耗需求的設備。GF的55LPx平臺憑藉其低功耗邏輯和高度可靠的嵌入式SuperFlash® 記憶體，結合經證實的射頻IP，是理想的匹配。RSL10系列提供在深度睡眠模式和峰值接收模式下業界最低的功耗，實現超長的電池使用壽命，並支持線上更新固件等功能。安森美半導體的新的RSL10 SoC使用這些先進的功能以解決廣泛的應用，包括可穿戴和智慧鎖及電器等物聯網邊緣節點設備。”

GF嵌入式記憶體副總裁David Eggleston說：“GF的55LPx平臺，結合安森美半導體的設計，提供可穿戴SoC技術到55 nm，及業界領先的能效。這再次證實55LPx正成為SoC設計人員尋求高性價比、低功耗和在極端環境中卓越的可靠性的首選。”

GF的55 nm LPx RF平臺提供快速開發產品的途徑，包括經認證的矽射頻IP和矽存儲技術（SST）的高度可靠的嵌入式SuperFlash® 記憶體，具有：

• 非常快的讀取速度（＜10ns）
• 小單元尺寸
• 卓越的數據保留（> 20年）
• 超強耐用性（> 20萬次）
• 完全通過汽車Grade 1（AEC-Q100）認證

GF的55LPx eFlash平臺自2015年在新加坡代工廠的300 mm線量產。55LPx eFlash平臺是一個具性價比的方案用於範圍廣泛的產品，從可穿戴設備到汽車MCU。

客戶可通過GF的流程設計套件開始優化他們的晶片設計，使設計人員能夠開發要求具性價比的、低功耗、和在極端環境下極高可靠性的差異化的eFlash方案。