Toshiba東芝推出低高度封裝軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器
Toshiba東芝公司推出採用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器,用於直接驅動中低等功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(power MOSFET)。
新款光電耦合器包括用於驅動小功率IGBT的“TLP5751”和用於驅動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它們均採用低高度SO6L封裝。與採用DIP8封裝的東芝產品相比,新產品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助於開發更纖薄小巧的裝置。儘管高度較低,但新產品依然保證了8mm的漏電距離和5kV的絕緣電壓,適用於對絕緣規格要求較高的應用。
電氣特性方面,新款光電耦合器擁有軌對軌輸出,在全擺動輸出狀態下可透過擴大操作電壓範圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流,以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內建東芝獨創的高功率紅外LED,適用於多種應用,包括需要高度熱穩定性的應用,例如工廠自動化、家用光電電力系統、數位化家用電器和不斷電供應系統(UPS)。
新產品主要規格
產品型號 |
TLP5751 |
TLP5752 |
TLP5754 |
峰值輸出電流 |
±1.0A |
±2.5A |
±4.0A |
供電電壓 |
15~30V |
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電源電流 |
3mA(最大值) |
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閾值輸入電流 |
4mA(最大值) |
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傳播延遲時間 |
150ns(最大值) |
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傳播延遲偏差 |
80ns(最大值) |
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軌對軌輸出 |
預裝 |
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VUVLO功能 |
預裝 |
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漏電距離 |
8mm(最小值) |
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絕緣電壓 |
5000Vrms(最小值) |
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共模瞬態抑制 |
±35kV/µsec |
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工作溫度範圍 |
-40~110ºC |
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適用功率設備 |
低功率IGBT(最高20A级)和功率MOSFET |
中等功率IGBT(最高80A级)和功率MOSFET |
中等功率IGBT(最高100A级)和功率MOSFET |
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