NXP推出全球首款2 mm x 2 mm、採用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET
轉換功率用的空間節約型器件以及負載開關提升了NXP超小型低導通電阻RDS(on) DFN MOSFET產品的組合
NXP近日推出業內首款2 mm x 2 mm、採用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳) 封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接品質更好。
即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30V N溝道MOSFET是採用NXP DFN2020MD-6 (SOT1220)封裝的20多類器件中率先推出的兩款產品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大於10A，10V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此導通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。
新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米，比當今市場上大多數2 mm x 2 mm的產品更加輕薄，是智慧手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關、電源轉換器和充電開關的理想之選。該款MOSFET還適用於其他空間受限應用，其中包括直流電機、伺服器和網路通信以及LED照明，在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一，提供與其相當的熱阻，能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值範圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3 mm x 3 mm封裝或TSSOP8封裝。
新型MOSFET提升了NXP超小型無引腳MOSFET產品線，截止到今年年末將有超過60種封裝，封裝尺寸為2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今，NXP是超小型低導通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產商，提供電平場效應電晶體(FET)和雙極電晶體技術。
有關NXP新型DFN2020 MOSFET的更多資訊，請訪問http://www.nxp.com/ultra-small-mosfets。
連結
- PMPB11EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、12 mOhm典型RDSon（10 V時）：http://www.nxp.com/pip/PMPB11EN
- PMPB20EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、16.5 mOhm典型RDSon（10 V時）：http://www.nxp.com/pip/PMPB20EN
- DFN2020MD-6封裝：http://www.nxp.com/packages/SOT1220.html
- 視頻：首款2x2mm、採用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET：http://www.youtube.com/watch?v=QnEWyTKjqZk
關於NXP Semiconductors
NXP以其領先的射頻、類比、電源管理、介面、安全和數位處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智慧識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構，2011年公司營業額達到42億美元。更多NXP相關資訊，請登錄公司官方網站http://cn.nxp.com/查詢。