代理產線

NTNS3A65PZ

 2013-01-09

【基本資料】

【產品特性】


  • 單P溝道MOSFET

  • 超低高度SOT-883(XDFN3) 1.0x0.6x0.4 mm封裝

  • 適合可攜式電子產品等極薄應用環境

  • 低導通電阻

  • 1.5 V門極驅動

  • 無鉛,無鹵素,符合RoHS指令


 



  • 漏極至源極電壓: VDSS= -20 V

  • 門極至源極電壓: VGS=±8 V

  • 功率耗散: 穩態155 mW;t≤5 s、25℃時為218 mW

  • 脈衝漏電流: -842 mA

  • 工作結點溫度範圍: -55至150℃

  • 源電流: -130 mA


 


【產品應用】


  • 智慧型手機、平板電腦等可攜式應用的NFC介面

【文字介紹】

NTNS3A65PZ是一款採用超小尺寸SOT-883(XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm封裝的小訊號-20 V、-281 mA單P溝道小訊號MOSFET,可用於NFC介面。這元件的超小尺寸及高度令其非常適合空間受限的可攜式應用,如智慧型手機、平板電腦、數位相機及可攜式遊戲機等。這元件提供低導通電阻,降低導電損耗及優化能效。1.5 V門極驅動能力令其能夠以低邏輯電平電壓工作。