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Vishay 威世科技 VRPower® 整合的 DrMOS 提供 多相于高功率密度調節器(Regulator) POL

 2015-05-20

新裝置系列提供標準型 6 mm x 6 mm PowerPAK MLP66-40L及全新 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L、及 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封裝

 

日前推出新型 VRPower® 整合型 DrMOS 功率級解決方案,提供三種 PowerPAK® 封裝尺寸,以應對高功率高效率多相 POL 應用領域。威世 Siliconix SiC789 與 SiC788 採用 MLP66-40L 封裝,為 Intel® 4.0 DrMOS 標準(6 mm x 6 mm) 腳位,而 SiC620 及 SiC620R 則採用全新的 5 mm x 5 mm MLP55-31L 封裝,SiC521 則是 4.5 mm x 3.5 mm 的 MLP4535-22L 封裝。此裝置被優化于需要高電流,有空間限制的運算、儲存設備、電信交換器、路由器、圖形卡與比特幣挖礦機的 DC/DC電轉換器。

 

SiC789 及 SiC788 的 6 mm x 6 mm 提供更方便的升級路徑,給設計上需要更高的輸出功率並已使用Intel 標準 DrMOS 4.0 的腳位者,全新5 mm x 5 mm 及 3.5 mm x 4.5 mm的腳位元,給設計上需要更局限、緊湊空間的電壓調節器,提供更理想的選擇。PowerPAK MLP55-31L 及 MLP4535-22L 改善數種在封裝上所產生的寄生及熱度效應,鞏固威世在Gen IV MOSFET 最先進的動態性能。

 

例如,在傳統多相降壓型轉換器設計中,採用雙邊冷卻 MLP55-31L 封裝的 SiC620R 可傳送 70 A,效率為 95 %。本裝置能同時冷卻封裝頂部及底部,較前一代封裝相比減少 20 % 的損失,占板面積也減少 33 %。縮小型的 3.5 mm x 4.5 mm SiC521 可在筆電、伺服器週邊設備、電信交換器、遊戲主機板等設計中傳送高達 25 A 的連續電流,電流峰值達到 40 A。

 

VRPower 系列閘極驅動 IC 可應用於多種 PWM 控制器,並支援 5 V 及 3.3 V 的三態 PMW 邏輯。此外,驅動 IC 結合了二極體模擬模式電路,用於提升輕載效率。另外,自我調整死區時間控制,能更進一步提升所有負載點的效率。本裝置更具備欠電壓鎖定功能 (UVLO)、短路保護及過熱警告(能在系統接面溫度過高時發出警示)等特殊功能。

 

裝置規格表:

WPIg-MB-Vishay-POL

 

WPIg-MB-Vishay-SiC620R