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TI 德州儀器的 NexFETN™ 通道功率 MOSFET 實現業界最低電阻

 2015-05-20

採用 5 公釐 x 6 公釐 QFN 封裝並具極低 Rdson 的 25 V 和 30 V 裝置

 

德州儀器 (TI) 推出 NexFET™ 產品線的 11 款新型 N 通道功率 MOSFET,包括擁有業界最低導通電阻 (Rdson) 且採用 QFN 封裝的 25 V CSD16570Q5B 和 30 V CSD17570Q5B,其適合熱插拔和 ORing 應用。此外,TI 針對低電壓電池供電型應用的新型 12-V FemtoFET™ CSD13383F4 在採用 0.6 公釐 x 1公釐的纖巧型封裝情況下實現了比同類競爭裝置低 84% 的極低電阻。如需取得更多資訊、樣品或參考設計,敬請參訪 www.ti.com/csd16570q5b-pr-tw

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率,同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。例如: 25 V CSD16570Q5B 支援 0.59 mΩ 的最大 Rdson ,而 30 V CSD17570Q5B 則實現了 0.69 mΩ的最大Rdson。請閱讀一篇部落格,題為「針對採用熱插拔和 ORing FET 控制器設計的功率 MOSFET 安全工作區 (SOA) 曲線」。下載一款採用 TI CSD17570Q5B NexFET 的 12 V、60 A 熱插拔參考設計

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可與針對 DC/DC 控制器應用的 LM27403 搭配使用,以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET 功率 MOSFET 則可與諸如 TPS24720 等 TI 熱插拔控制器配套使用。請下載應用筆記「穩固的熱插拔設計」,瞭解如何將一個電晶體選用為傳輸元件,以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

 

新型 NexFET 產品及主要特點

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