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Vishay 發佈首款採用熱增強 PowerPAK® SC-70 封裝的150V N 溝道MOSFET

 2015-02-04

Vishay 推出業界首款採用小尺寸、熱增強型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm,在10V下具有業內最低的導通電阻,可通過減少傳導和開關損耗,在各種空間受限的應用中提高效率。

 

SiA446DJ適用於隔離式DC/DC轉換器裡的初級側開關、LED背光裡的升壓轉換器,以及乙太網供電 (PoE) 的供電設備開關、電信DC/DC磚式電源和可擕式電子設備裡電源管理應用的同步整流和負載切換。對於這些應用,PowerPAK SC-70的占位比3mm x 2.8mm TSOP-6封裝小55%,同時熱阻低40%。

 

SiA446DJ採用ThunderFET® 技術製造,在10V、7.5V和6V下的最大導通電阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ。在10V下,器件的導通電阻比採用TSOP-6封裝的前一代器件低53%,其典型導通電阻與柵極電荷的乘積即優值係數低54%,可提高效率。而且,SiA446DJ的導通電阻比最新的採用3mm x 2.7mm SOT-23封裝的器件低26%。

 

SiA446DJ加上此前發佈的PowerPAK SC-70封裝的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封裝的100V SiB456DK,拓展了採用小尺寸、熱增強封裝的Vishay中壓MOSFET的產品組合。器件進行了100%的RG和UIS測試,符合RoHS,無鹵素。


器件的
RDS(ON)比前一代器件低53%TSOP-6封裝的占位面積小55%

WPI_Vishay_SiA446DJ

 

 

VISHAY簡介

 

Vishay 是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請瀏覽網站 www.vishay.com