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NXP 發佈120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻電晶體

 2010-10-20
恩智浦BLF888A電晶體打造強大、高效能的數位廣播發射器

恩智浦半導體推出廣播發射器和工業用的600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率電晶體BLF888A。恩智浦BLF888A為目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發射器電晶體,支援470至 860MHz的完整超高頻 DVB-T訊號,平均輸出功率120W,效率可達31%以上。出色的線性度,21Db的高增益和傑出的耐用性(駐波比VSWR大於 40:1)使BLF888A成為DVB-T等進階數位發射器應用的理想選擇。恩智浦將於2010年9月26日至10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展(European Microwave Week)上正式推出BLF888A(攤位號:194)。

恩智浦50V高壓LDMOS製程技術和先進的熱管理概念為BLF888A帶來了出色的性能表現,達到前所未有的功率密度及0.15K/W超低熱阻的新突破。透過BLF888A電晶體,廣播設備製造商可將現有以及新設置的發射器系統達到最佳化,提高產品性能,降低擁有成本。此外,BLF888A與BLF881驅動器電晶體的優異整合,將符合全系列功率放大器產品的需求。

恩智浦半導體公司射頻功率產品行銷總監Mark Murphy表示:「 BLF888A是一款非常特別的產品,實現了耐用性、寬頻功率與工作效率的最佳化整合。過去設計人員只能對這些參數進行平衡,始終無法提出最佳解決方案。現在有了BLF888A,全球廣播發射器工程師可放心將自己的射頻系統性能最佳化,無需再擔心功率電晶體問題。」

BLF888A提供兩個封裝版本:螺栓式封裝(BLF888A)和無耳式封裝(BLF888AS),新封裝使PCB設計更加小巧。另外,BLF888AS還能在更低的接點溫度下焊接。

恩智浦每年射頻元件出貨量超過40億件,是高性能射頻領域的領導者,恩智浦領先的LDMOS技術和先進的封裝概念創造了一流的射頻功率電晶體,為各種廣播技術提供出色的高功率和耐用性。

上市時間
BLF888A和BLF888AS目前已提供參考樣品。
有關BLF888A(S)詳情,請參閱http://www.nxp.com/pip/BLF888A.html。

關於恩智浦半導體
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.;NASDAQ: NXPI) 以其領先的RF、類比、電源管理、介面、安全與數位處理方面的專長,提供高性能混合訊號(High Performance Mixed Signal) 與標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案廣泛應用於汽車、智慧識別、無線基礎設施、照明、工業、行動、消費與電腦運算等領域。
公司總部位於歐洲,在全球超過25個國家擁有約28,000名員工,2009年公司營業額達到38億美元。更多恩智浦相關訊息,請參觀網站 www.nxp.com

前瞻性說明
本新聞稿中可能包含有關恩智浦半導體財務狀況、營運與業務成效的前瞻性陳述,以及恩智浦半導體關於這些內容的計畫與目標。由於其特性,前瞻性陳述中將包含風險和不確定性,因其涉及到一些事件, 並且依賴未來的環境,同時很多因素也會影響最終結果和進展,使之偏離這些前瞻性陳述的論述與暗示。