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Vishay推出新款30V N溝道和20V P溝道TrenchFET®功率MOSFET

 2011-06-08
SiA444DJT在2mmx2mm佔位面積內具有N溝道MOSFET當中最低的外形;SiA429DJT是具有最低導通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件

Vishay日前宣佈推出採用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK® SC-70封裝的新款30V N溝道和20V P溝道TrenchFET®功率MOSFET。在2mm x 2mm的佔位面積內,新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業內最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。

如果手持設備需要比標準0.8mm更薄的N溝道MOSFET,高度為0.6mm的SiA444DJT可以滿足要求,其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%,比標準的0.8mm高度小19%。此外,該MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低導通電阻,最大導通電阻與柵極電荷乘積是衡量MOSFET在DC/DC轉換器應用中的優值係數(FOM),該器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的業內最低FOM。

SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的業內最低導通電阻,足以勝任應用對更薄P溝道器件的要求。該器件在1.8V下的導通電阻比最接近的競爭器件小12%,包括標準0.8mm外形的MOSFET和所有2mm x 2mm的P溝道MOSFET。對於掌上型電子設備,SiA429DJT和SiA444DJT更低的導通電阻意味著更低的傳導損耗,從而延長在充電週期之間的電池壽命。

SiA444DJT和SiA429DJT所採用的超薄Thin PowerPAK SC-70封裝針對手機、智能手機、MP3播放機、數碼相機、電子書和平板電腦等小型掌上型電子設備進行了優化。在這些設備中,SiA444DJT可用於高頻DC/DC轉換器,而SiA429DJT是負載開關或充電開關的理想之選,還可以在DC/DC降壓轉換器應用中用作高邊開關。

這些MOSFET經過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定及RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品,並已實現量產。


VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市的「財富1,000 強企業」,是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及「一站式」服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請流覽網站 www.vishay.com

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