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Toshiba擴大符合e∙MMCTM 5.1版標準的崁入式NAND快閃記憶體產品陣容

 2015-09-02

 

東芝公司(Toshiba Corporation)旗下的半導體&儲存產品公司今天宣佈推出符合JEDEC(電子元件工業聯合會) e∙MMCTM 5.1版[1]標準、支援“指令排序”和“安全寫入保護”的嵌入式NAND快閃記憶體產品。新產品採用15nm工藝技術製造的NAND晶片,廣泛適用於各類數位消費產品,包括智慧手機、平板電腦和穿戴式設備。

新產品在單一封裝內採用東芝尖端的15nm工藝技術製造的NAND晶片,該晶片帶有一個用於管理NAND應用基本控制功能的控制器。該產品支援JEDEC e∙MMCTM 5.1版要求具備的全部特性。且該系列產品支持e∙MMCTM 5.1版的兩種可選特性“指令排序”和“安全寫入保護”。

 

“指令排序”透過在等待序列中預先儲存任務,讓使用者能夠根據自己的優先順序設置,處理由使用者發出的多個指令生成的多工。與不具備“指令排序”的東芝現有產品相比,該特性最多可將讀取速度提高30%左右 [3]。在智慧手機和平板電腦等移動設備上執行多個應用時,該特性可有效提升用戶體驗。

“安全寫入保護特性”拓展了傳統的寫入保護特性,可保護使用者儲存在指定區域的重要資料,防止資料被未經驗證的使用者覆蓋或擦除。

 

市場對於能夠支援智慧手機和平板電腦等應用的NAND快閃記憶體的需求持續增長。其中包括帶有控制器的嵌入式記憶體,這種記憶體將開發要求降至最低,並降低了整合到系統設計之中的難度。東芝正在透過加強其高性能和高密度記憶體產品的陣容來滿足這種需求,並將繼續在市場上佔據領先地位。

 

新產品陣容

產品型號

容量

類別

封裝

THGBMHG7C2LBAIL

16GB

頂級

11.5×13×0.8mm

THGBMHG8C4LBAIR

32GB

11.5×13×1.0mm

THGBMHG9C8LBAIG

64GB

11.5×13×1.2mm

THGBMHT0C8LBAIG

128GB

11.5×13×1.2mm

*在東芝的e∙MMCTM類別中,“頂級”(Supreme)代表適合高端級別應用的產品,“優質”(Premium)代表適合中低端級別應用的產品。

 

主要特性

  1. 符合JEDEC e∙MMCTM 5.1版標準的介面使用者處理基本功能,包括塊寫入管理、糾錯和驅動軟體。這種介面簡化了系統開發,使製造商能夠將開發成本降至最低,縮短新產品和升級產品的上市速度。新產品採用了JEDEC e∙MMCTM 5.1版所規範的新特性 [4],例如背景執行控制、緩存屏障、緩存刷新報告和擴大RPMB寫入區塊,以提高易用性。  
  2. 透過應用JEDEC e∙MMCTM 5.1版新推出的可選特性之一"指令排序”,隨機讀取性能可提高約30%(最大值)[3]。  
  3. 嵌入系統內部的128GB產品可存儲16.3小時的全高清視頻,以及39.7 小時的標清視頻[5]

 

主要規格

介面

JEDEC e・MMC™ 5.1 標準版
HS-MMC 介面

容量

16GB, 32GB, 64GB, 128GB

電源電壓

2.7 to 3.6V (記憶體核心)
1.7V to 1.95V / 2.7V to 3.6V (介面)

匯流排寬度

×1 / ×4 / ×8

溫度範圍

-25℃ 至 +85℃

封裝

153球細間距球柵陣列(FBGA)

11.5mm × 13.0mm

注釋

[1] e・MMCTM是一種適用於根據JEDEC e・MMCTM標準規範製造的一類嵌入式記憶體產品的產品類別,是JEDEC固態技術協會的商標。最新的JEDEC e・MMCTM 5.1版規範由JEDEC在2015年2月24日正式發佈。

[2] 截至2014年10月。東芝調查。

[3] 東芝調查。

[4] “背景執行控制”是主機允許設備在閒置期間進行背景操作的功能。“緩存屏障”功能可控制緩存資料何時寫入記憶體晶片。“緩存刷新報告”功能用於告知主控設備的刷新策略是否為FIFO(先入先出)。“擴大RPMB寫入區塊”功能可將能夠寫入RPMB區域的資料大小擴大到8KB。

[5] HD和SD分別以17Mbps和7Mbps的位元速率均值來計算。

 

 

 

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