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意法半導體(ST)的二極體專利技術可大幅縮減充電器尺寸,並可加快充電速度

 2014-10-29

意法半導體的新系列場效應整流二極體(FERD,Field-Effect Rectifier diodes) 完美解決了低正向壓降(VF)與低漏電流(IR)之間不可兼得的矛盾關係,讓充電器和筆記型電腦轉換器(adaptor)等設備的設計人員在不使用成本更高的同步整流二極的前提下滿足要求最嚴格的能效標準。

 

Energy Star 6.0標準用於測試傳統蕭特基二極體(Schottky diodes)在充電器和筆記型電腦轉換器內達到的性能極限。同步整流二極體雖然性能優異,但是成本卻比傳統蕭特基二極體高出很多。由於符合離線開關式電源節能標準的能效要求,成本亦比同步整流二極低大約30%,意法半導體的FERD系列整流二極體成功引起了市場的關注。

 

輸出電流15A至2x30A,輸出電壓45V至60V, 場效應整流二極體採用意法半導體的單位面積內VF/IR 比最好的專利技術。例如,30A的場效應整流二極體正向電壓降比傳統30A蕭特基二極體降低大約140mV,同時漏電流保持不變。

 

在特定封裝散熱性能下,因為正向電壓降更低,漏電流處理得更好,意法半導體技術提高了封裝的輸出電流容量。新產品擁有許多優勢,例如加快智慧型手機和平板電腦的充電速度,縮減筆記型電腦充電器的尺寸和重量,由於場效應整流二極體的工作溫度更低,有助於延長產品使用壽命。

 

FERD技術還非常適用於其它設備和系統,例如汽車應用中的飛輪(freewheeling)二極體或電池反接保護;電信電源中的OR-ing二極體;工業系統中的整流二極體,為滿足不同市場的需求,該系列產品提供各種額定電壓和電流的場效應整流二極體供用戶選擇。

 

目前已上市的場效應整流二極體共有12款,提供TO-220AB、 D²PAK和PowerFLATTM 5 x 6三種封裝。

 

有關意法半導體場效應整流二極體的詳細資訊,請至www.st.com/ferd-nb