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Infineon 推出第 5代 1200V thinQ!™ SiC Schottky 二極體, 提升單相及三相應用的效率及可靠度

 2014-08-06

英飛凌科技股份有限公司推出第 5 代 1200V thinQ!™ SiC Schottky 二極體,擴展全方位的 SiC 產品組合。全新的 1200V SiC 二極體具有即使在操作溫度下,也有超低的正向電壓、提高 100% 以上的突波電流能力,以及絕佳的散熱特性。這些特色能顯著提高太陽能逆變器、不斷電系統 (UPS)、三相切換模式電源供應器(SMPS) 及馬達驅動器的效率及耐用操作。

「第 5 代」SiC 二極體使用全新的精簡型晶片設計,這是透過將 pn 接面的工程設計合併在 Schottky 電池場中達成。這使得每個晶片面積有更小的微分電阻,因此讓二極體的損耗較前一代降低高達30%;例如 20 kHz切換頻率,滿載操作的三相太陽能逆變器之前端升壓級。

在接面溫度 150°C 下,典型的正向電壓僅有 1.7V,比前一代還要少 30%。這也是 1200V SiC 二極體市場中現有最低的正向電壓。因此,此款全新的 SiC 二極體特別適用於以相對高負載 (如 UPS 系統) 操作的應用上。此外,即使在低切換頻率下,也能提升系統效率。

依據二極體的額定電流值,現在突波電流的能力提升至額定電流的 14 倍,足以確保在突波電流的應用上,二極體仍能持久耐用操作。旁路二極體可以省略不用,從而降低複雜性與系統成本。

英飛凌 IGBT 及 SiC 功率分離式元件行銷協理 Roland Stele 表示:「全新第 5 代 SiC 二極體展現了英飛凌的目標,提供能協助客戶從他們的設計中得到最高效率的產品。二極體損耗減少、範圍更廣的切換頻率,同時因提升的突波電流能力,而使可靠性更好。英飛凌最新一代的 SiC Schottky 二極體在充分發揮深具前景的 SiC材料潛力上,向前邁進了一大步。」

應用全新的 1200V thinQ!SiC Schottky 二極體搭配英飛凌同級最佳的 1200V Highspeed3 IGBT 在升壓及功率因子校正 (PFC) 升壓拓樸結構上,帶來系統層級的顯著效益。不僅二極體損耗降低,同時也因導通損耗減低 (導致更小的散熱片或提高效率)、以及相較於使用傳統 Si 二極體的解決方案有更低的 EMI (更小且具成本效益的 EMI 濾波器),Highspeed3 IGBT 在效能上獲得改善。

上市時間
完整的第 5 代 SiC 二極體產品組合包括 TO-247、TO-220 及 DPAK 套件。除了是 TO-247 封裝同級中最佳的全新 40A 二極體以外,其共陰極的雙配置能更進一步為提供的交錯拓樸結構節省空間。TO-247 封裝樣品,將於 2014 年 7 月開始量產。其他的封裝版本將於 2015 年推出。有關第 5 代 1200V thinQ!™ SiC Schottky 二極體的詳細資訊,請瀏覽 www.infineon.com/sicdiodes1200V

關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg),提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2013計年度(截至9月底)營收為38.4億歐元,全球員工約為26,700名。