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Vishay -20V P溝道Gen III MOSFET率先採用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸

 2014-05-26

日前,Vishay宣佈推出業界首款採用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封裝尺寸的-20V器件,擴展其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是為在行動計算裝置中提高效率和節省空間而設計的,在-4.5V和-2.5V柵極驅動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導通電阻。

Si8851EDB把P溝道Gen III技術與MICRO FOOT的無封裝CSP技術,以及30pin設計和引腳佈局結合在一起,在給定的面積內提供了盡可能低的導通電阻。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比,Si8851EDB的高度薄50%,在4.5V柵極驅動下的導通電阻幾乎只有一半,單位封裝尺寸的導通電阻低37%。Si8851EDB的導通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET,外形尺寸小56%,單位封裝尺寸的導通電阻低30%以上。

器件高度只有0.4mm,適合在平板電腦、智慧手機和筆記型電腦的電源管理應用中用作負載和電池開關。Si8851EDB的低導通電阻使設計者可以在其電路裡實現更低的壓降,從而更有效地使用電能並延長電池使用壽命,同時其小占位可節省寶貴的PCB空間。Si8851EDB的典型ESD保護達到6kV,有助於保護手持設備避免因靜電放電而損壞,同時保證在生產過程能對零元件進行安全的加工處理。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定,符合RoHS指令2011/65/EU。


節省空間的MOSFET可用於移動計算,在4.5V下導通電阻低至8.0mΩ

WPI_Vishay_Si8851EDB


VISHAY簡介

Vishay 是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請瀏覽網站 www.vishay.com