新聞中心

IDT 推出業界最低功率 DDR3 1866 記憶體緩衝晶片

 2012-11-28

擁有類比和數位領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 推出業界首款低功率DDR3 記憶體緩衝晶片,可在高達1866 兆/秒(MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升DDR3 減少負載雙列直插記憶體模組(LRDIMM) 的最高資料傳輸速率,並使系統製造商獲益於更高速度的記憶體容量,新器件彰顯了IDT在記憶體介面解決方案領域的領導者地位。IDT 的記憶體緩衝晶片是用於伺服器、工作站和存儲應用的先進記憶體子系統的關鍵元件。

 

MB3518 是一個低功率DDR3 記憶體緩衝晶片,能在1 個通道內與2 個LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設一個32GB 容量的4 通道(quad-rank) LRDIMM,相當於在一個典型伺服器中傳輸速率為1866 兆/秒的512GB 容量,那麼使用8 通道64GB 的LRDIMM 容量能達到超過1TB,預計將在2013 年推出。這意味著相比於標準註冊的雙列直插記憶體模組(RDIMMs),在最高速度等級的相對容量內實現了四倍的提升,使計算系統能夠支援更多記憶體並提升應用性能。記憶體緩衝晶片可在1.5 V 或1.35V 下運行,在不犧牲性能的前提下提供業界最低的功耗。這直接使得終端使用者在功率和冷卻方面節約可觀的運營費用。

 

IDT 公司副總裁兼企業計算部總經理Mario Montana 表示:“作為記憶體介面解決方案的領導廠商,IDT 正在提高LRDIMM 的性能極限。通過專注於低功率和高性能,在提升速度的同時堅持開發高效節能的解決方案以降低資料中心的運行成本並減少碳排放,IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統來看,IDT 豐富的介面和互聯產品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇,幫助他們構建市場上最先進的企業伺服器和存放裝置。”

 

美光(NASDAQ: MU) DRAM 市場部副總裁Robert Feurle 表示:“美光致力於提供能夠在提升性能的同時降低功率的LRDIMM 解決方案,來滿足我們的客戶在高性能計算(HPC)、資料中心和雲計算方面的需求。我們很高興與IDT 緊密合作,開發下一代LRDIMM 產品。”

 

IDT 的記憶體緩存晶片擁有獨有的調試和驗證特性,包括每個引腳和晶片示波器的支援和內置邏輯分析儀的採集以促進全緩衝DIMM 拓撲技術的開發、驗證和測試。這些特性對於LRDIMM 模組上的記憶體緩衝到DRAM 介面尤其重要,因為它是完全獨立於主控制器和自動測試儀的。IDT 記憶體緩衝晶片符合聯合電子工程委員會(JEDEC) 設立的最嚴格的規範。